全球硅衬底LED技术领导者——晶能光电近期推出了380-410nm高光效UVA LED产品。采用独特的UV-LED外延技术，克服发光效率低于蓝光LED和电子和空穴不易被束缚在发光层中的难点，性能达到国际一流水平。

从第三方测试结果来看，晶能光电UVA-LED表现出优异的性能指标，半导体照明联合创新国家重点实验室测试结果显示峰值外量子效率达到了67%， 亮度达到 700mW@350mA，1000mW@500mA，发光效率和蓝光LED芯片相当，同时Droop远远优于蓝光LED芯片。

此次发布共有三种结构大功率垂直结构、倒装结构及横向结构，共6个规格的产品。其中大功率垂直结构芯片规格为45×45mil，采用的是硅衬底LED技术；倒装结构芯片规格有 35×35mil和45×45mil，主要性能指标见下表：

横向结构芯片包括各种功率范围，规格有11×16mil，15×29mil和45×45mil。各芯片的性能和应用范围如下表。

晶能光电对发布产品做了大量的可靠性实验。395nm倒装结构45×45mil芯片，采用陶瓷封装后，在PCB板温度为85度和老化电流700mA的条件下，1000小时持续点亮后测试，其反向漏电0.6uA，光衰-2.48%。

晶能光电此次推出的UVA LED产品具有高性能、高可靠性的优势，现提供样品，并可按标准交货时间进行量产。